所谓忆阻器，全称记忆电阻器（Memristor），是继电阻、电容、电感之后的第四种电路基本元件，显示磁通与电荷之间的关系，最早由加州大学伯克利分校教授蔡少棠在 1971 年预言存在，惠普公司在 2008 年研造成功。

简言之，这种组件的的电阻会随着通过的电流质而扭转，而且就算电流进行了，它的电阻依然会停留在之前的值，直到承遭到反向的电流它才会被推回去，就是说能「记住」之前的电流质。

受人脑启发，忆阻器设备被组织成交叉点阵列，以实现大规模并行的内存计算并提高电源效率。

这种巧妙的机制和我们大脑中的生物突触和神经元有相仿之处，同时忆阻器还具有尺寸小、操作功耗低、可大规模集成（三维集成）等优点，可以制成高密度交叉点阵列，以通过物理定律实现内存内部大规模并行乘积计算（CIM）。